负责英特尔的芯片设计和芯片制造，
同时，李飞从内心上，认为不必和这人一般见识，不必再继续说下去…，
但为了fm芯片早点量产，早点让fm芯片进入市场变现，李飞不得不展示芯片研发实力，给一点颜色看看，让对方知道什么是研发技术大神。但没有必要再客气了，就命令道：“你不要打断我说话！如我说得没有错的话，cmos工艺流程大概是这样的：
先是准备n型硅片，用以制造nmos和pmos晶体管。（注：os和nmos工艺基础上发展起来的）
再使用湿氧化方法，在硅片上生长设定厚度（如约微米）的二氧化硅层，作为制造p型区的掩蔽层。随后光刻p型区。
接着，光刻出nmos晶体管的p阱区和pmos晶体管的源、漏区后，使用氮化硼片作掺杂源进行硼预淀积。
在淀积硼以后，进行杂质推进扩散，形成nmos晶体管的p阱，在推进扩散的同时，也进行干氧化，接着进行湿氧化预定时间（如20分钟），该二氧化硅层作为光刻n型区的掩蔽层。
如光刻出n型掺杂区，然后进行磷掺杂扩散，形成nmos晶体管的源、漏区；
在磷扩散以后，进行湿氧化预定时间（如20分钟），该二氧化硅层用以制造nmos和pmos栅氧化区的的掩蔽层；
光刻出nmos和pmos晶体管的栅区，然后使用干氧化方法，生成设定厚度的栅二氧化硅层（如500纳米制程），”