第203章 追光二期光源长稳测试

  金秉洙一拳砸在控制台上，不锈钢台面发出沉闷的迴响。他身后的团队成员们脸色苍白，这次紧急停机，意味著至少需要48小时来重启系统、排查故障、重新校准。而按照“深红路线图”的时间表，“追光二期”必须在两周內完成连续168小时的长稳测试，才能为14nm euv工艺验证提供可靠的光源保障。

  “金博士。”一个冷静的声音从身后传来。

  金秉洙猛地回头，看到陈醒不知何时已经站在观察窗前。他穿著简单的黑色工装，脸上看不出长途奔波后的疲惫，只有一种沉静的专注。

  “陈总，您怎么……”金秉洙有些吃惊。从深城到合城，即便是最早的航班，此刻也不该出现在这里。

  “专机。”陈醒简短解释，目光已经投向主控屏幕上冻结的数据流，“停机前最后一毫秒的光谱分析数据调出来。”

  技术人员迅速操作。屏幕上出现复杂的光谱图，在代表13.5nm euv辐射的主峰旁边，有几个微弱的异常峰位。

  “这些是……”金秉洙凑近屏幕。

  “锡的l系辐射线，还有微弱的氧kα线。”陈醒用手指在屏幕上圈出几个峰位，“雷射击偏的锡滴没有被完全汽化，部分液態锡溅射到镜面上，在后续雷射脉衝中二次加热，產生了这些异常辐射。更麻烦的是，”

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  他放大光谱图的一角：“看到这个微小的连续背景了吗？这是高能电子轰击镜面镀膜层產生的韧致辐射。说明有带电粒子在腔体內积累。”

  “静电问题？”金秉洙瞬间反应过来。

  “比那复杂。”陈醒调出停机前最后0.1秒的高速摄像机画面。画面经过ai增强后清晰显示：在第四雷射束失步的那个瞬间，锡滴喷射轨跡出现了微妙的扭曲，仿佛被无形的力场牵引。

  “腔体內存在局部电场畸变。”陈醒断言，“可能是某个高压电极的绝缘材料在长期热负荷下发生了介电性能退化，產生了漏电流。这个漏电场干扰了雷射束的传播路径，也影响了锡滴的飞行轨跡。”

  “需要开腔检查。”金秉洙立刻明白了问题的严重性，“如果是高压部件的问题，可能需要更换整个电极模块，重新做真空封装和烘烤。时间……”

  “我们没时间。”陈醒打断他，“『深红路线图』里，euv整机集成节点是硬性要求。如果『追光二期』的长稳测试推迟，会连锁影响到14nm euv工艺开发、『天权6號』晶片设计，乃至整个5nm技术平台的进度。”